Dokładnie 26 listopada w Korei Samsung ogłosił, że oficjalnie wprowadza do masowej produkcji pamięci DDR4 o pojemności aż 128GB na kość dzięki wykorzystaniu technologii TSV (through silicon via). Moduły te stworzone zostały z myślą o centrach danych i serwerach.

Pojedyncza kość składa się ze 144 chipów DDR4 zorganizowanych w 36 paczek po 4GB każda. Jeden taki pakiet zawiera cztery 20-nanometrowe układy o pojemności 8 gigabitów, całość upchnięta została na laminacie właśnie dzięki wspomnianej technologii TSV. Przepustowość podstawowego modelu wynosi 2400 Mb/s (megabajtów na sekundę), jednak bardziej wymagający klienci znajdą także kości o wydajności rzędu 2667 oraz 3200 Mb/s. Należy przy tym zaznaczyć, że zużycie energii zostało zmniejszone aż o 50% względem LRDIMM. Na koniec warto także dodać, iż dzięki wykorzystaniu TSV Samsung chce stworzyć własne kości HMB (high bandwidth memory), a także wprowadzić pojemniejsze moduły DDR na rynek konsumencki.

O nowy produkcie wypowiedział się sam wiceprezes pamięci Joo Sun Choi:

Jesteśmy zadowoleniu, że produkcja wysoko wydajnych oraz oszczędnych modułów 128GB TSV DRAM, pozwoli naszym klientom i partnerom uruchomić rozwiązania nowej generacji, gdzie zostanie drastycznie związkowa skalowalność oraz efektywność ich działania. Dalej zamarzamy rozwijać się i współpracować z globalnymi liderami w produkcji serwerów i centrów danych, żeby zwiększyć ich produktywność oraz poprawić doświadczenia użytkownika końcowego.

Źródło, fot.: samsung